CIG22B2R2MNE теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для CIG22B2R2MNE, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для CIG22B2R2MNE по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить CIG22B2R2MNE с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
CIG22B2R2MNE
- Тип продуктов:
- CIG22B2R2MNE
- производитель:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Описание:
- FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 50814 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.CIG22B2R2MNE.pdf2.CIG22B2R2MNE.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Разбивка: | 1008 (2520 Metric) |
| Применение: | Shielded |
| Тип: | Multilayer |
| Размер / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Серии: | CIG22B |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Рейтинги: | - |
| поляризация: | 1008 (2520 Metric) |
| Другие названия: | 1276-6217-2 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 125°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Номер детали производителя: | CIG22B2R2MNE |
| Высота - Сидящая (Макс): | 0.032" (0.80mm) |
| Тип оборудования: | 2.2µH |
| Частота - Тест: | - |
| Частота - Self Резонансное: | 183 mOhm |
| Расширенное описание: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 183 mOhm 1008 (2520 Metric) |
| ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): | ±20% |
| Диаметр - Плечо: | - |
| Описание: | FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM |
| Время задержки: | 1MHz |
| Сопротивление постоянному току (DCR): | 1.2A |
| Текущий рейтинг: | 1.1A |
| Ток - Насыщенность: | - |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CIG22B2R2MNE
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки