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TRS6E65C,S1AQ
- Modelo do Produto:
- TRS6E65C,S1AQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 33279 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TRS6E65C,S1AQ.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 6A (DC) |
| Tensão - Breakdown: | TO-220-2L |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tube |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| Polarização: | TO-220-2 |
| Outros nomes: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| Temperatura de Operação - Junção: | 0ns |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TRS6E65C,S1AQ |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| configuração de diodo: | 90µA @ 650V |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.7V @ 6A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitância @ Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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