TRS6E65C,S1AQ
TRS6E65C,S1AQ
部品型番:
TRS6E65C,S1AQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
33279 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
TRS6E65C,S1AQ.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
電圧 - ピーク逆(最大):Silicon Carbide Schottky
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:6A (DC)
電圧 - ブレークダウン:TO-220-2L
シリーズ:-
RoHSステータス:Tube
逆回復時間(trrの):No Recovery Time > 500mA (Io)
もし、F @抵抗:35pF @ 650V, 1MHz
偏光:TO-220-2
他の名前:TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1Q
TRS6E65CS1Q-ND
動作温度 - ジャンクション:0ns
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TRS6E65C,S1AQ
拡張された説明:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
ダイオード構成:90µA @ 650V
説明:DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:1.7V @ 6A
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):650V
Vrと、F @キャパシタンス:175°C (Max)
Email:[email protected]

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