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TRS6E65C,S1AQ
- Artikelnummer:
- TRS6E65C,S1AQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 33279 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TRS6E65C,S1AQ.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 6A (DC) |
| Spannung - Durchschlag: | TO-220-2L |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tube |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-220-2 |
| Andere Namen: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 0ns |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | TRS6E65C,S1AQ |
| Expanded Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Diodenkonfiguration: | 90µA @ 650V |
| Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1.7V @ 6A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 650V |
| Kapazität @ Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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