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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK14C65W5,S1Q
TK14C65W5,S1Q
TK14C65W5,S1Q
Modelo do Produto:
TK14C65W5,S1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
35814 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK14C65W5,S1Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 6.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):130W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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