TK14C65W5,S1Q
TK14C65W5,S1Q
Nomor bagian:
TK14C65W5,S1Q
Pabrikan:
Toshiba Semiconductor and Storage
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
35814 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
TK14C65W5,S1Q.pdf

pengantar

TK14C65W5,S1Q tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk TK14C65W5,S1Q, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk TK14C65W5,S1Q melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli TK14C65W5,S1Q dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:I2PAK
Seri:DTMOSIV
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 6.9A, 10V
Power Disipasi (Max):130W (Tc)
Pengemasan:Tube
Paket / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Nama lain:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
Suhu Operasional:150°C (TJ)
mount Jenis:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1300pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):650V
Detil Deskripsi:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar