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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK13A60D(STA4,Q,M)
TK13A60D(STA4,Q,M)
TK13A60D(STA4,Q,M)
Modelo do Produto:
TK13A60D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
39752 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TK13A60D(STA4,Q,M).pdf2.TK13A60D(STA4,Q,M).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:π-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:430 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK13A60DSTA4QM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

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