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TK13A60D(STA4,Q,M)
TK13A60D(STA4,Q,M)
제품 모델:
TK13A60D(STA4,Q,M)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
39752 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.TK13A60D(STA4,Q,M).pdf2.TK13A60D(STA4,Q,M).pdf
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소개

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규격

조건 New & Original, tested
원산지 Contact us
마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220SIS
연속:π-MOSVII
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):430 mOhm @ 6.5A, 10V
전력 소비 (최대):50W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
다른 이름들:TK13A60DSTA4QM
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2300pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:40nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):13A (Ta)
Email:[email protected]

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