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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.7V @ 600µA |
Vgs (최대): | ±30V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 4-DFN-EP (8x8) |
연속: | DTMOSIV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
전력 소비 (최대): | 104W (Tc) |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | 4-VSFN Exposed Pad |
다른 이름들: | TK12V60WLVQCT |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 890pF @ 300V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | Super Junction |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
상세 설명: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |