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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PEMH10,115
PEMH10,115
PEMH10,115
Modelo do Produto:
PEMH10,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49536 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PEMH10,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-666
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:1727-1723-1
568-11265-1
568-11265-1-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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