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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > PEMH10,115
PEMH10,115
PEMH10,115
Modèle de produit:
PEMH10,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49536 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PEMH10,115.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SOT-666
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:1727-1723-1
568-11265-1
568-11265-1-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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