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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > PEMH10,115
PEMH10,115
PEMH10,115
Número de pieza:
PEMH10,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
49536 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
PEMH10,115.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-666
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:300mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:1727-1723-1
568-11265-1
568-11265-1-ND
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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