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PDTD123ES,126
- Modelo do Produto:
- PDTD123ES,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40647 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- PDTD123ES,126.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | 934059143126 PDTD123ES AMO PDTD123ES AMO-ND |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | PDTD123 |
| Email: | [email protected] |
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