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PDTD123ES,126
- Modello di prodotti:
- PDTD123ES,126
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 40647 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PDTD123ES,126.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | 934059143126 PDTD123ES AMO PDTD123ES AMO-ND |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Numero di parte base: | PDTD123 |
| Email: | [email protected] |
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