JDP2S12CR(TE85L,Q está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para JDP2S12CR(TE85L,Q, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para JDP2S12CR(TE85L,Q por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre JDP2S12CR(TE85L,Q com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
JDP2S12CR(TE85L,Q
- Modelo do Produto:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 28559 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | 180V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Série: | - |
| Resistência @ Se, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SOD-123F |
| Outros nomes: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | PIN - Single |
| Descrição detalhada: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Atual - Max: | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para JDP2S12CR(TE85L,Q
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica