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JDP2S12CR(TE85L,Q
- Artikelnummer:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 28559 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | 180V |
| Supplier Device-Gehäuse: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Widerstand @ If, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOD-123F |
| Andere Namen: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | PIN - Single |
| detaillierte Beschreibung: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Strom - Max: | 1A |
| Kapazität @ Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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