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JDP2S12CR(TE85L,Q
- Modello di prodotti:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28559 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | 180V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Resistenza a If, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOD-123F |
| Altri nomi: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | PIN - Single |
| Descrizione dettagliata: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Corrente - Max: | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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