IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
Modelo do Produto:
IXFP5N100PM
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54145 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFP5N100PM.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:6V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220 Isolated Tab
Série:HiPerFET™, PolarP2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):42W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.3A (Tc)
Email:[email protected]

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