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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
Modèle de produit:
IXFP5N100PM
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54145 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFP5N100PM.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:6V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220 Isolated Tab
Séries:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):42W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:33.4nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.3A (Tc)
Email:[email protected]

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