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IXFP5N100PM
IXFP5N100PM
Artikelnummer:
IXFP5N100PM
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
54145 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXFP5N100PM.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:6V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220 Isolated Tab
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max):42W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33.4nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.3A (Tc)
Email:[email protected]

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