FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109
Modelo do Produto:
FGA25N120ANTDTU-F109
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34589 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FGA25N120ANTDTU-F109.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.65V @ 15V, 50A
Condição de teste:600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:50ns/190ns
Alternando Energia:4.1mJ (on), 960µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):350ns
Power - Max:312W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Outros nomes:FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT and Trench
portão de carga:200nC
Descrição detalhada:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
Atual - Collector Pulsada (ICM):90A
Atual - Collector (Ic) (Max):50A
Número da peça base:FGA25N120A
Email:[email protected]

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