FGA25N120ANTDTU-F109 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro FGA25N120ANTDTU-F109, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro FGA25N120ANTDTU-F109 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si FGA25N120ANTDTU-F109 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
FGA25N120ANTDTU-F109
- Part Number:
- FGA25N120ANTDTU-F109
- Popis:
- IGBT 1200V 50A 312W TO3P
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 34589 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- FGA25N120ANTDTU-F109.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.65V @ 15V, 50A |
| Zkušební podmínky: | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 50ns/190ns |
| přepínání energie: | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-3P |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 350ns |
| Power - Max: | 312W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Ostatní jména: | FGA25N120ANTDTU_F109 FGA25N120ANTDTU_F109-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT and Trench |
| Gate Charge: | 200nC |
| Detailní popis: | IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 90A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 50A |
| Číslo základní části: | FGA25N120A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro FGA25N120ANTDTU-F109
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení