Az FGA25N120ANTDTU-F109 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FGA25N120ANTDTU-F109 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFGA25N120ANTDTU-F109e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FGA25N120ANTDTU-F109 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FGA25N120ANTDTU-F109
- Cikkszám:
- FGA25N120ANTDTU-F109
- Leírás:
- IGBT 1200V 50A 312W TO3P
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 34589 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FGA25N120ANTDTU-F109.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.65V @ 15V, 50A |
| Teszt állapot: | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 50ns/190ns |
| Energiaváltás: | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-3P |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 350ns |
| Teljesítmény - Max: | 312W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Más nevek: | FGA25N120ANTDTU_F109 FGA25N120ANTDTU_F109-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | NPT and Trench |
| Gate Charge: | 200nC |
| Részletes leírás: | IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 90A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 50A |
| Alap rész száma: | FGA25N120A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FGA25N120ANTDTU-F109-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be