FDD2670
Modelo do Produto:
FDD2670
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59459 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDD2670.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 70W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD2670-ND
FDD2670TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1228pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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