FDD24AN06LA0_SB82179
Modelo do Produto:
FDD24AN06LA0_SB82179
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
INTEGRATED CIRCUIT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
21690 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDD24AN06LA0_SB82179.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 7.1A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.1A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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