FDD2582
Modelo do Produto:
FDD2582
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
48481 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDD2582.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:66 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):95W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD2582-ND
FDD2582TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1295pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:N-Channel 150V 3.7A (Ta), 21A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta), 21A (Tc)
Email:[email protected]

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