CSD18512Q5B
Modelo do Produto:
CSD18512Q5B
Fabricante:
TI
Descrição:
40V N CH MOSFET
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
45674 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD18512Q5B.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSON-CLIP (5x6)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):139W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-47756-2
CSD18512Q5B-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7120pF @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 211A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:211A (Tc)
Email:[email protected]

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