CSD18531Q5AT
Modelo do Produto:
CSD18531Q5AT
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
20640 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD18531Q5AT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSONP (5x6)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.6 mOhm @ 22A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 156W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-41958-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3840pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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