CSD18511KTT
Modelo do Produto:
CSD18511KTT
Fabricante:
TI
Descrição:
GEN1.4 40V-20V
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
35898 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD18511KTT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):188W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5940pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 194A (Ta) 188W (Ta) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:194A (Ta)
Email:[email protected]

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