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AFT18H357-24NR6
- Modelo do Produto:
- AFT18H357-24NR6
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- IC TRANS RF LDMOS
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 49840 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 28V |
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | OM-1230-4L2L |
| Série: | - |
| Potência: | 63W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | OM-1230-4L2L |
| Outros nomes: | 935312802528 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 17.5dB |
| Freqüência: | 1.81GHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L |
| Potência nominal: | - |
| Atual - Teste: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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