AFT18H357-24NR6 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro AFT18H357-24NR6, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro AFT18H357-24NR6 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si AFT18H357-24NR6 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
AFT18H357-24NR6
- Part Number:
- AFT18H357-24NR6
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- IC TRANS RF LDMOS
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 49840 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 28V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-1230-4L2L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 63W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | OM-1230-4L2L |
| Ostatní jména: | 935312802528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 17.5dB |
| Frekvence: | 1.81GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT18H357-24NR6
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný