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AFT18H357-24NR6
- Modèle de produit:
- AFT18H357-24NR6
- Fabricant:
- NXP Semiconductors / Freescale
- La description:
- IC TRANS RF LDMOS
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 49840 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Test: | 28V |
| Tension - Nominale: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Package composant fournisseur: | OM-1230-4L2L |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 63W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | OM-1230-4L2L |
| Autres noms: | 935312802528 |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 17.5dB |
| La fréquence: | 1.81GHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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