XCKU3P-3FFVB676E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XCKU3P-3FFVB676E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XCKU3P-3FFVB676E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XCKU3P-3FFVB676E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XCKU3P-3FFVB676E
- Part Number:
- XCKU3P-3FFVB676E
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- XCKU3P-3FFVB676E
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40316 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XCKU3P-3FFVB676E.pdf2.XCKU3P-3FFVB676E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.873 V ~ 0.927 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 31641600 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 676-FCBGA (27x27) |
| Seria: | Kintex® UltraScale+™ |
| Package / Case: | 676-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 355950 |
| Ilość Labs / CLBs: | 20340 |
| Liczba I / O: | 280 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XCKU3P-3FFVB676E
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM