VS-GB400AH120N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-GB400AH120N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-GB400AH120N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-GB400AH120N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-GB400AH120N
- Part Number:
- VS-GB400AH120N
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28048 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VS-GB400AH120N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 1.9V @ 15V, 400A (Typ) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Double INT-A-PAK |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 2500W |
| Package / Case: | Double INT-A-PAK (5) |
| Inne nazwy: | VSGB400AH120N |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | No |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 38 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 30nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT Module Single 1200V 650A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 5mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 650A |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-GB400AH120N
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen