VS-GB50YF120N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-GB50YF120N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-GB50YF120N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-GB50YF120N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-GB50YF120N
- Part Number:
- VS-GB50YF120N
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IGBT 1200V 66A 330W ECONO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25700 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VS-GB50YF120N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 4.5V @ 15V, 75A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ECONO2 4PACK |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 330W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | VSGB50YF120N |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | No |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT Module 1200V 66A 330W Chassis Mount ECONO2 4PACK |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 250µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 66A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-GB50YF120N
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC