UCC27511AQDBVRQ1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UCC27511AQDBVRQ1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UCC27511AQDBVRQ1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UCC27511AQDBVRQ1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UCC27511AQDBVRQ1
- Part Number:
- UCC27511AQDBVRQ1
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55895 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UCC27511AQDBVRQ1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | SOT-23-6 |
| Shell Style: | 4.5 V ~ 18 V |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Czas narastania / spadku (typ): | 4A, 8A |
| Polaryzacja: | SOT-23-6 |
| Inne nazwy: | 296-41036-2 UCC27511AQDBVRQ1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | Low-Side |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | UCC27511AQDBVRQ1 |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Typ wejścia: | Inverting, Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 8ns, 7ns |
| Typ bramy: | 1 |
| Rozszerzony opis: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting SOT-23-6 |
| Opis: | IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23 |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 1V, 2.4V |
| Kanały na obwód: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UCC27511AQDBVRQ1
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS