UCC27511AQDBVRQ1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ UCC27511AQDBVRQ1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ UCC27511AQDBVRQ1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ UCC27511AQDBVRQ1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
UCC27511AQDBVRQ1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- UCC27511AQDBVRQ1
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55895 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- UCC27511AQDBVRQ1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOT-23-6 |
| สไตล์เชลล์: | 4.5 V ~ 18 V |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 4A, 8A |
| โพลาไรซ์: | SOT-23-6 |
| ชื่ออื่น: | 296-41036-2 UCC27511AQDBVRQ1-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | Low-Side |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | UCC27511AQDBVRQ1 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ประเภทขาเข้า: | Inverting, Non-Inverting |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 8ns, 7ns |
| ประเภทประตู: | 1 |
| ขยายคำอธิบาย: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting SOT-23-6 |
| ลักษณะ: | IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6SOT23 |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | 1V, 2.4V |
| ช่องต่อวงจร: | Single |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UCC27511AQDBVRQ1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS