TPH1110FNH,L1Q
TPH1110FNH,L1Q
Part Number:
TPH1110FNH,L1Q
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Status bezołowiowy:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Wielkość zbiorów:
50340 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Czas oczekiwania:
4-8 weeks
Arkusz danych:
TPH1110FNH,L1Q.pdf

Wprowadzenie

TPH1110FNH,L1Q jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TPH1110FNH,L1Q, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TPH1110FNH,L1Q przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TPH1110FNH,L1Q z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New & Original, tested
Kraj pochodzenia Contact us
Oznaczenie kodu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 300µA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:8-SOP Advance (5x5)
Seria:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ ID, Vgs:112 mOhm @ 5A, 10V
Strata mocy (max):1.6W (Ta), 57W (Tc)
Opakowania:Cut Tape (CT)
Package / Case:8-PowerVDFN
Inne nazwy:TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1100pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:11nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):250V
szczegółowy opis:N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze