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TPH1110FNH,L1Q
- Artikelnummer:
- TPH1110FNH,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 50340 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TPH1110FNH,L1Q.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 300µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 112 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta), 57W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNHL1QCT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 250V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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