TLVH431AIDBZT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLVH431AIDBZT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLVH431AIDBZT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLVH431AIDBZT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLVH431AIDBZT
- Part Number:
- TLVH431AIDBZT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55267 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLVH431AIDBZT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 1.24V |
| Napięcie - Wejście: | - |
| Napięcie - Podział: | SOT-23-3 |
| Grubość (maks): | - |
| Stożek: | Shunt |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| regulator topologii: | 70mA |
| Polaryzacja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Fazy wyjściowe: | 100µA |
| Inne nazwy: | 296-26830-2 TLVH431AIDBZT-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | - |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | 18V |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | TLVH431AIDBZT |
| Rozszerzony opis: | Shunt Voltage Reference IC 18V ±1% 70mA SOT-23-3 |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3 |
| Obecny - Dostawa: | - |
| Obecny - katoda: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLVH431AIDBZT
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen