TLVH431AIL3T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLVH431AIL3T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLVH431AIL3T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLVH431AIL3T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLVH431AIL3T
- Part Number:
- TLVH431AIL3T
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50811 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLVH431AIL3T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.24V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 18V |
| Napięcie - Wejście: | - |
| Tolerancja: | ±0.5% |
| Współczynnik temperaturowy: | 100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Shunt |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Inne nazwy: | 497-13181-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | 30mVrms |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Shunt Voltage Reference IC 18V ±0.5% 60mA SOT-23-3 |
| Obecny - Dostawa: | - |
| Obecny - Wyjście: | 60mA |
| Obecny - katoda: | 200µA |
| Podstawowy numer części: | TLVH431 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLVH431AIL3T
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe