TLVH431AIDBZT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLVH431AIDBZT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLVH431AIDBZT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLVH431AIDBZT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLVH431AIDBZT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLVH431AIDBZT
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55267 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLVH431AIDBZT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 1.24V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต -: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOT-23-3 |
| ความหนา (สูงสุด): | - |
| เรียวเล็ก: | Shunt |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| regulator โทโพโลยี: | 70mA |
| โพลาไรซ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ประเภทขาออก: | Adjustable |
| เฟสเอาท์พุท: | 100µA |
| ชื่ออื่น: | 296-26830-2 TLVH431AIDBZT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| เสียงรบกวน - 10Hz ถึง 10kHz: | - |
| เสียงรบกวน - 0.1Hz ถึง 10Hz: | 18V |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TLVH431AIDBZT |
| ขยายคำอธิบาย: | Shunt Voltage Reference IC 18V ±1% 70mA SOT-23-3 |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3 |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | - |
| ปัจจุบัน - แคโทด: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLVH431AIDBZT
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU