STTH812G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STTH812G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STTH812G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STTH812G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STTH812G
- Part Number:
- STTH812G
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35748 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- STTH812G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 8A |
| Napięcie - Podział: | D2PAK |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura pracy - złącze: | 100ns |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | STTH812G |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK |
| Diode Configuration: | 8µA @ 1200V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2.2V @ 8A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Pojemność @ VR F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STTH812G
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?