STTH812G
STTH812G
Modèle de produit:
STTH812G
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35748 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STTH812G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:8A
Tension - Ventilation:D2PAK
Séries:-
État RoHS:Tube
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température d'utilisation - Jonction:100ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Référence fabricant:STTH812G
Description élargie:Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK
Configuration diode:8µA @ 1200V
La description:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr:2.2V @ 8A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F:175°C (Max)
Email:[email protected]

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