STGD3NB60HDT4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STGD3NB60HDT4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STGD3NB60HDT4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STGD3NB60HDT4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STGD3NB60HDT4
- Part Number:
- STGD3NB60HDT4
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IGBT 600V 10A 50W DPAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57050 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- STGD3NB60HDT4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.8V @ 15V, 3A |
| Stan testu: | 480V, 3A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 5ns/53ns |
| Przełączanie Energy: | 33µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DPAK |
| Seria: | PowerMESH™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 95ns |
| Moc - Max: | 50W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 21nC |
| szczegółowy opis: | IGBT 600V 10A 50W Surface Mount DPAK |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 24A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 10A |
| Podstawowy numer części: | STG*3NB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STGD3NB60HDT4
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia