SSM6P36FE,LM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SSM6P36FE,LM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SSM6P36FE,LM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SSM6P36FE,LM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SSM6P36FE,LM
- Part Number:
- SSM6P36FE,LM
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48027 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SSM6P36FE,LM.pdf2.SSM6P36FE,LM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ES6 (1.6x1.6) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | SSM6P36FE(TE85L,F) SSM6P36FE(TE85LF)TR SSM6P36FE(TE85LF)TR-ND SSM6P36FE,LM(B SSM6P36FE,LM(T SSM6P36FELM(TTR SSM6P36FELM(TTR-ND SSM6P36FELMTR SSM6P36FETE85LF |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 43pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.2nC @ 4V |
| Rodzaj FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 330mA |
| Podstawowy numer części: | SSM6P36 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SSM6P36FE,LM
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED