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SSM6P36FE,LM
- Artikelnummer:
- SSM6P36FE,LM
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 48027 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.SSM6P36FE,LM.pdf2.SSM6P36FE,LM.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6P36FE(TE85L,F) SSM6P36FE(TE85LF)TR SSM6P36FE(TE85LF)TR-ND SSM6P36FE,LM(B SSM6P36FE,LM(T SSM6P36FELM(TTR SSM6P36FELM(TTR-ND SSM6P36FELMTR SSM6P36FETE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 43pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2nC @ 4V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 330mA |
| Basisteilenummer: | SSM6P36 |
| Email: | [email protected] |
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