SRN4012T-6R8M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SRN4012T-6R8M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SRN4012T-6R8M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SRN4012T-6R8M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SRN4012T-6R8M
- Part Number:
- SRN4012T-6R8M
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 6.8UH 1.3A 125 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40824 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SRN4012T-6R8M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Seria: | SRN4012T |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | SRN4012T-6R8M-TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | SRN4012T-6R8M |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| typ sprzętu: | 6.8µH |
| Częstotliwość - Test: | 35MHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 125 mOhm |
| Rozszerzony opis: | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 125 mOhm Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | 6 @ 100kHz |
| Opis: | FIXED IND 6.8UH 1.3A 125 MOHM |
| Czas zwłoki: | 100kHz |
| DC Resistance (DCR): | 900mA |
| Aktualna ocena: | 1.3A |
| Obecny - Nasycenie: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SRN4012T-6R8M
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?