Το SRN4012T-6R8M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SRN4012T-6R8M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SRN4012T-6R8M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SRN4012T-6R8M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SRN4012T-6R8M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SRN4012T-6R8M
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- FIXED IND 6.8UH 1.3A 125 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40824 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SRN4012T-6R8M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Ανάλυση: | - |
| Χρήση: | Unshielded |
| Τύπος: | Wirewound |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Σειρά: | SRN4012T |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Nonstandard |
| Άλλα ονόματα: | SRN4012T-6R8M-TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 17 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | SRN4012T-6R8M |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Τύπος υλικού: | 6.8µH |
| Συχνότητα - Test: | 35MHz |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 125 mOhm |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 125 mOhm Nonstandard |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Διάμετρος - Ώμος: | 6 @ 100kHz |
| Περιγραφή: | FIXED IND 6.8UH 1.3A 125 MOHM |
| Χρόνος καθυστέρησης: | 100kHz |
| Αντίσταση DC (DCR): | 900mA |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 1.3A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SRN4012T-6R8M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SRN4012TA-2R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.9A 60 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
SRN4012T-2R2M | Bourns Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.9A 60 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-1R0M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 2.2A 42 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-3R3M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH 1.7A 70 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-220M | Bourns Inc. | FIXED IND 22UH 620MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
SRN4012TA-3R3M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH 1.7A 70 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
SRN4012TA-5R6M | Bourns, Inc. | FIXED IND 5.6UH 1.4A 144 MOHM | Έρευνα |
 |
SRN4012-6R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 1.3A 150 MOHM | Έρευνα |
|
SRN4012T-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 750MA 260 MOHM | Έρευνα |
|
SRN4012TA-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 750MA 260 MOHM | Έρευνα |
|
SRN4012TA-1R0M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 2.2A 42 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-R47M | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 3.2A 25 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012TA-1R5M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 2A 50 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012-R47M | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 3.2A 30 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012TA-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 1.1A 180 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 1.1A 180 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012TA-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 620MA 400 MOHM | Έρευνα |
|
SRN4012TA-4R7M | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 1.5A 70 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-4R7M | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 1.5A 95 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN4012T-1R5M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 2A 50 MOHM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;