SQ4917EY-T1_GE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SQ4917EY-T1_GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SQ4917EY-T1_GE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SQ4917EY-T1_GE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SQ4917EY-T1_GE3
- Part Number:
- SQ4917EY-T1_GE3
- Producent:
- Vishay / Siliconix
- Opis:
- MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30612 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SQ4917EY-T1_GE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 1910pF @ 30V |
| Napięcie - Podział: | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 8A (Tc) |
| Moc - Max: | 5W (Tc) |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | SQ4917EY-T1_GE3 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 65nC @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Cecha FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | Standard |
| Opis: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SQ4917EY-T1_GE3
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego